RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1701–1714 (Mi phts4815)

Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS$_{2}$ и TlAsS$_{2}$

Н. Н. Сырбу, Ф. И. Пасечник

Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо

Аннотация: Исследовано рамановское рассеяние в актуальных геометриях кристаллов AgAsS$_{2}$ и TlAsS$_{2}$ при 300 и 77 K. Измерены спектры отражения в ИК области (2$-$200 мкм) в поляризациях $E\parallelc$ и $E\parallelb$, рассчитаны контуры отражения и определены основные параметры колебательных мод кристаллов TlAsS$_{2}$ и AgAsS$_{2}$. Рассчитаны и определены эффективные заряды Сиггети, динамический борновский заряд и относительные ионные заряды анионов и катионов.

Поступила в редакцию: 24.03.1992
Принята в печать: 07.04.1992



© МИАН, 2025