Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10,страницы 1715

Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Сообщается о получении изолированных квантовых проволок и квантовых точек в системе GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Способ основан на гетероэпитаксиальном росте на фасетированных поверхностях и включает в себя формирование двух латеральных сверхрешеток GaAs в матрице AlAs. В середине промежуточного слоя AlAs мы выращивали изолированные кластеры GaAs. Эти кластеры ответственны за сильную локальную связь между двумя латеральными сверхрешетками и приводят к появлению нового типа локализованных состояний — квантовых проволок и квантовых точек.

Поступила в редакцию: 07.04.1992
Принята в печать: 08.04.1992