RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1119–1123 (Mi phts4903)

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута

О. А. Усов, Л. Н. Лукьянова, М. П. Волков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В анизотропных слоистых пленках многокомпонентного твердого раствора $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$ в сильных магнитных полях от 2 до 14 Tл при низких температурах проведено исследование квантовых осцилляций магнетосопротивления, связанных с поверхностными состояниями электронов в 3D топологических изоляторах. Из анализа спектрального распределения амплитуд квантовых осцилляций магнетосопротивления определены основные параметры поверхностных состояний фермионов Дирака. Проведено сравнение результатов с данными, полученными методом сканирующей туннельной спектроскопии. Показано, что высокая поверхностная концентрация определяет вклад поверхностных состояний фермионов Дирака в термоэлектрические свойства пленок $n$-Bi$_{1.92}$In$_{0.02}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$.

Ключевые слова: теллурид висмута, пленки, твердые растворы, топологический изолятор, осцилляции магнетосопротивления.

Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51692.08



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024