RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1124–1127 (Mi phts4904)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы

Л. Н. Лукьянова, А. А. Шабалдин, А. Ю. Самунин, О. А. Усов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В термоэлектриках $p$-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы с избытком висмута эффективная масса плотности состояний $m/m_{0}$ возрастает в нанокомпозитном и наноструктурированном твердых растворах по сравнению с базовым материалом, полученным методом направленной кристаллизации. Показано, что увеличение $m/m_{0}$ связано с ростом эффективного параметра рассеяния $r_{\operatorname{eff}}$ и усилением зависимости времени релаксации от энергии, что характерно для топологических изоляторов. Параметр материала $\beta$, пропорциональный термоэлектрической эффективности ZT, при температурах ниже комнатной возрастает сильнее в наноструктурированном составе, чем в нанокомпозите с нановключениями SiO$_{2}$ вследствие роста $m/m_0$ и уменьшения решеточной теплопроводности $\kappa_{\mathrm{L}}$. При дальнейшем повышении температуры наибольший рост параметра $\beta$ в базовом материале связан с более высокой подвижностью.

Ключевые слова: халькогениды висмута и сурьмы, наноструктурированные твердые растворы, нанокомпозит, эффективная масса.

Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51693.09


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2022, 56:1, 10–13

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025