RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1138–1143 (Mi phts4907)

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Термоэлектрическая эффективность и квантовая подвижность дырок в монокристаллах теллурида сурьмы, легированных медью

В. А. Кульбачинскийabc, В. Г. Кытинa, А. С. Апрелеваa, Е. А. Константиноваa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Сообщаются результаты исследования термоэлектрических свойств в интервале температур 77 $<T<$ 350 K монокристаллических образцов Sb$_{2-x}$Cu$_{x}$Te$_{3}$ (0 $\le x\le$ 0.10), синтезированных методом Бриджмена. Оказалось, что концентрация дырок и проводимость сильно возрастают, а коэффициент Зеебека незначительно уменьшается при легировании Sb$_{2}$Te$_{3}$ медью. Теплопроводность образцов, легированных Cu, была несколько выше, чем у исходного Sb$_{2}$Te$_{3}$. В результате термоэлектрическая эффективность $ZT$ возрастает с увеличением содержания Cu при $T>$ 300 K. Кроме этого приводятся результаты измерений квантовой подвижности дырок $\mu_{q}$ из данных по эффекту Шубникова–де Гааза как в монокристаллах Sb$_{2-x}$Cu$_{x}$Te$_{3}$ (0 $\le x\le$ 0.10), так и в монокристаллах Sb$_{2-x}$Sn$_{x}$Te$_{3}$ (0 $\le x\le$ 0.01); Sb$_{2-x}$Tl$_{x}$Te$_{3}$ (0 $\le x\le$ 0.05). Измерения ЭПР показывают, что атомы меди в исследованных образцах, скорее всего, находятся в бесспиновом состоянии Cu$^{+1}$.

Ключевые слова: термоэлектрическая эффективность, теллурид сурьмы, электронный парамагнитный резонанс, эффект Шубникова–де Гааза.

Поступила в редакцию: 12.08.2021
Исправленный вариант: 28.08.2021
Принята в печать: 28.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51696.11


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782622010092

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024