Аннотация:
В последние годы возобновился интерес к термоэлектрическим материалам на основе теллурида германия, демонстрирующим высокую эффективность в среднетемпературном диапазоне. В данной работе обсуждаются особенности теоретического описания фононного спектра и решеточной теплопроводности в GeTe с использованием первопринципных методов. С их помощью рассчитана температурная зависимость решеточной теплопроводности в ромбоэдрической фазе и оценено ее изменение, связанное с рассеянием на точечных дефектах и при наноструктурировании. Исследована модификация фононного спектра при переходе к высокотемпературной кубической фазе. Проводится сравнение рассчитанных температурных зависимостей решеточной теплопроводности с имеющимися экспериментальными данными в GeTe и в твердых растворах на его основе.