RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1180–1185 (Mi phts4914)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные и фотоэлектрические свойства тонких пленок оксида цинка на подложке танталата лития

Л. В. Григорьевab, А. А. Семеновa, А. В. Михайловc

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
c Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и фотоэлектрических свойств тонкопленочной структуры ZnО-LiTaO$_{3}$. Приведены результаты рентгеноструктурного анализа и данных атомно-силовой микроскопии для пленок оксида цинка, синтезированных на подложке из монокристаллического танталата лития и на подложке из полированного кварца КУ-1. Приведена спектральная зависимость фотоэлектрического тока тонкопленочной структуры ZnО-LiTaO$_{3}$ и структуры ZnO-кварц в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра. Представлены результаты восстановления методом регуляризации Тихонова-Лаврентьева энергетического спектра оптически активных дефектов, присутствующих в структуре ZnО-LiTaO$_{3}$.

Ключевые слова: тонкие пленки, оксид цинка, лазерная абляция, сегнетоэлектрические материалы, фотопроводимость, рентгеноструктурный анализ, атомно-силовая микроскопия, регуляризация Тихонова–Лаврентьева.

Поступила в редакцию: 27.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51703.9724



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024