RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1195–1202 (Mi phts4916)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

Н. Т. Баграевab, С. А. Кукушкинa, А. В. Осиповa, Л. Е. Клячкинb, А. М. Маляренкоb, В. С. Хромовab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследуется отклик наноструктур карбида кремния, полученных методом согласованного замещения атомов, на внешнее терагерцовое излучение. Регистрируется кинетическая зависимость продольного напряжения при комнатной температуре в условиях пропускания продольного тока исток-сток в структурах с холловской геометрией. В рамках предлагаемой модели квантового эффекта Фарадея падающее излучение приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале при изменении числа квантов магнитного потока и соответственно к проявлению особенностей в кинетической зависимости продольного напряжения. Исследована генерация собственного терагерцового излучения в наноструктурах карбида кремния методом регистрации спектра электрически детектируемого электронного парамагнитного резонанса при измерении магнетополевых зависимостей продольного напряжения.

Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, наноструктура, ЭДЭПР, квантовый эффект Фарадея.

Поступила в редакцию: 28.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51705.9620



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024