RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1203–1209 (Mi phts4917)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Свойства полупроводниковых коллоидных квантовых точек, полученных в условиях управляемого синтеза

Н. Д. Жуковa, Т. Д. Смирноваb, А. А. Хазановa, О. Ю. Цветковаa, С. Н. Штыковb

a ООО "НПП Волга", г. Саратов
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Исследовано влияние технологических параметров синтеза на структурно-физические свойства коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца, антимонида индия и селенида кадмия. Использование несольватирующего для прекурсора неметалла растворителя позволяет получить медленный, управляемый процесс и детально проследить все стадии кристаллизации наночастиц – нуклеацию и рост, оствальдовское созревание, неконтролируемое разрастание. Удается получать кристаллиты совершенной структуры и размеров с минимальными разбросами – не более $\pm$10%. Установлено при этом, что максимальные размеры наночастиц ограничены термодинамическими условиями роста и имеют величину $\sim$5 нм. Кроме того, квантовые точки проявляют ряд специфических свойств – аномальную температурную зависимость фотолюминесценции и нестабильность вольт-амперной характеристики, которым дано объяснение в модели размерного квантования энергии и импульса неравновесных электронов. Для разных вариантов полупроводников особенности проявляются значительней с увеличением параметров размерного квантования.

Ключевые слова: коллоидный синтез, коллоидная квантовая точка, кинетическая и термодинамическая модели, сольватирующий растворитель, быстрая и медленная кристаллизация, кристаллическая и зонная структура, параметры размерного квантования, фотолюминесцентные и вольт-амперные характеристики.

Поступила в редакцию: 29.06.2021
Исправленный вариант: 20.07.2021
Принята в печать: 02.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51706.9704



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024