Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”

Представлены результаты исследований люминесцентных свойств структур с Ge(Si) наноостровками (квантовыми точками), в которых структурированная поверхность подложки “кремний на изоляторе” служила как для пространственного упорядочения квантовых точек, так и для формирования двумерного фотонного кристалла. Показано, что при определенном выборе параметров структурированной подложки (диаметра отверстий и периода их расположения) наблюдается усиление интенсивности сигнала люминесценции квантовых точек в ближнем инфракрасном диапазоне. Обнаруженный эффект связывается с взаимодействием излучения пространственно упорядоченных квантовых точек с модами фотонного кристалла. Эффект усиления сигнала люминесценции сохраняется вплоть до комнатных температур.