RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1218–1222 (Mi phts4920)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработаны и исследованы инфракрасные (850 нм) светодиоды на основе AlGaAs/Ga(In)As-гетероструктур, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, включающие множественные InGaAs квантовые ямы в активной области, и двойной оптический отражатель, включающий брэгговскую многослойную Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As-гетероструктуру и зеркальный слой серебра. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью EQE = 37.5% при плотности тока $>$10 А/см$^{2}$.

Ключевые слова: инфракрасный светодиод, AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, брэгговский отражатель, квантовые ямы InGaAs.

Поступила в редакцию: 08.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51709.9711



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024