Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения

Исследована возможность создания наноструктурированных просветляющих покрытий на основе ZnO. Изучена зависимость структурных особенностей пленки от температуры нагрева подложки в процессе нанесения легированного алюминием материала оксида цинка. Показано, что изменением одного параметра, температуры подложки при нанесении материала, в диапазоне 20–600$^\circ$C невозможно достичь требуемого структурирования пленки. С этой целью предложен подход, заключающийся в предварительном нанесении слоя Sn нанометровой толщины с последующим прогревом подложки до температуры нанесения основного слоя материала. Оптимизация режимов нанесения покрытия привела к получению среды, состоящей из большого количества нитевидных кристаллов с поперечными размерами в десятки нанометров и длиной в сотни нанометров, ориентированных преимущественно перпендикулярно подложке. Показано, что градиентный характер изменения плотности вещества, а следовательно, эффективного показателя преломления в направлении, перпендикулярном плоскости подложки, обеспечивает просветляющие свойства покрытия в широком диапазоне длин волн излучения и при распространении его в различных направлениях.