Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN

Проведено исследование температурной зависимости сопротивления омических контактов на основе металлизации Ge/Au/Ni/Au к наногетероструктурам арсенида галлия (GaAs), а также на основе металлизаций Ti/Al/Ni/Au к наногетероструктурам нитрида галлия (GaN) на кремниевой подложке. Установлено, что оптимизация методов вжигания позволяет получать омические контакты с токопереносом по закону, соответствующему механизму полевой эмиссии. Показано, что термостабильность омических контактов для транзисторов и мезарезисторов проявляет пороговое поведение в зависимости от температуры термообработки, и выявлен оптимум по температурной стабильности и минимуму контактного сопротивления.