Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения

В гетероструктуре с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 14 нм экспериментально исследованы основные спектральные характеристики экситонных линий – энергия экситонного резонанса, а также его радиационное и нерадиационное уширения. Особое внимание уделено нерадиационному уширению как наиболее чувствительному к концентрации свободных носителей и долгоживущих экситонов. Наблюдается сублинейный рост уширения резонансов тяжeлого и лeгкого экситонов с ростом мощности возбуждения в лeгкий экситон. Развита простая модель, позволяющая воспроизвести наблюдаемую зависимость.