RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 969–972 (Mi phts4929)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)

Н. В. Сибиревab, Ю. С. Бердниковac, В. В. Федоровb, И. В. Штромad, А. Д. Большаковab

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As, P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51548.44


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2022, 56:1, 14–17

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024