Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs

Сформированы и исследованы гетероструктуры А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/Ge/Si (001), А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/Ge/SOI (001), А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/GaAs (001). В А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/Ge/Si буферный слой Ge был выращен на подложке Si (001) методом газофазного осаждения с разложением моногермана на “горячей проволоке”. В А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/Ge/SOI буферный слой Ge был выращен на подложке SOI (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием режима двухстадийного роста. Рост слоев А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ осуществлялся методом химического осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы. Показано, что платформа Ge/SOI, созданная с применением режима двухстадийного роста, позволяет наращивать слои А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, не уступающие по кристаллическому и оптическому качеству таким же слоям, сформированным на платформе Ge/Si.