RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1021–1026 (Mi phts4936)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, Abduljabbar Riyad Khuderb, Д. Л. Голощаповa, М. А. Хараджидиa, И. Н. Арсентьевc, И. А. Касаткинd

a Воронежский государственный университет
b Ministry of Education/General Directorate of Education in Baghdad, The third Karkh Governorate, Iraq
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Сообщается о влиянии режимов травления и их комбинации на дизайн, микроструктурные и оптические свойства податливых подложек на основе пористого кремния. На основе данных комплекса микроструктурных и спектроскопических методов анализа показано, что при неизменных параметрах кристаллической решетки величина остаточных напряжений, размер кристаллитов, объем кристаллической фракции, а также отражательная способность и энергия прямых переходов в пористом слое кремния зависят от комбинации режимов травления, однако не всегда коррелируют с величиной пористости слоя, рассчитанной из анализа SEM изображений.

Ключевые слова: Si, пористый слой, податливая подложка.

Поступила в редакцию: 05.07.2021
Исправленный вариант: 12.07.2021
Принята в печать: 12.07.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51555.9707



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024