Система локализованных экситонов на кислородных комплексах в CdS

Интенсивное свечение CdS в голубой и зеленой областях спектра широко используется во всех областях оптоэлектроники. Приведены результаты исследования оптических свойств CdS на базе теории антипересекающихся зон с привлечением более широких исходных данных к анализу результатов. В зависимости от условий роста учтено присутствие и изменение концентрации кислорода и собственных точечных дефектов, определяющих состав кристаллов. Введены представления о неравномерном распределении изоэлектронных кислородных центров в объеме CdS вследствие преимущественной сегрегации их на компенсирующих дефектах упаковки. Для анализа экспериментальных данных использовались возможности построения зонных моделей, которые объединяют обширную и разностороннюю информацию о конкретных образцах. Представлена модель мультизоны CdS$\cdot$O с дефектами упаковки, определяющая спектр зеленого краевого излучения. Дано объяснение природы краевого излучения сульфида кадмия как экситонов, локализованных на кислородных комплексах. Показано, что присутствие изоэлектронных кислородных центров проявляется в электрофизических свойствах кристаллов. Даны рекомендации по диагностике кристаллов, пригодных для создания стабильных в эксплуатации люминесцирующих систем или лазеров.