А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11,страницы 1086

Физика полупроводниковых приборов

Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования методов текстурирования световыводящей поверхности ИК-светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с брегговскими отражателями. Разработаны методы жидкостного и плазмохимического травления твердого раствора для создания пиков (пирамид) различной формы высотой 0.2–1.5 мкм. Проведена оценка влияния методов текстурирования, а также конфигурации пиков на интенсивность электролюминесценции светодиодов. Достигнуто увеличение интенсивности электролюминесценции на 25%.

Ключевые слова: светодиод, текстурирование, методы травления, электролюминесценция.

Поступила в редакцию: 13.05.2021
Исправленный вариант: 31.05.2021
Принята в печать: 31.05.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51565.9679