Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов

Исследуются электрофизические параметры и морфология поверхности структур $n/n^{-}$ GaAs с контактами Шоттки до и после воздействия нейтронов со средней энергией $\sim$1 МэВ. Методом вольт-фарадных измерений определены изменения профилей концентрации и подвижности электронов в структурах. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены возникающие при облучении кластеры радиационных дефектов, предложен комплексный подход к определению их параметров.