RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 861–868 (Mi phts4953)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

М. С. Жолудевab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Проведены расчеты энергий локализованных и резонансных состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe в зависимости от температуры. Предложен универсальный метод вычисления энергий локализованных и резонансных примесных состояний. Теоретически доказано, что эти энергии практически не изменяются в диапазоне температур от 0 до 100 K. Расчеты проведены в приближении сферической симметрии с помощью метода матрицы рассеяния в рамках трехзонной модели Кейна, учитывающей зону проводимости и две верхние валентные зоны.

Ключевые слова: примесь, резонансные состояния, кадмий-ртуть-теллур, матрица рассеяния.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51434.33


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:12, 907–913

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024