Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона

Проведен расчет характеристик двумерного плазмона, усиливаемого активной средой на основе терагерцовой квантово-каскадной структуры. Показано, что для реалистичных параметров структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (подвижность 2 $\cdot$ 10$^{5}$ см$^{2}\cdot$ В$^{-1}\cdot$ с$^{-1}$ при концентрации электронов 5 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ и при температуре до 77 K) коэффициент усиления двумерного плазмона может достигать 1500 см$^{-1}$ на частоте 2.3 ТГц. Из-за сильной локализации электрического поля плазмона около квантовой ямы для усиления необходимо лишь несколько каскадов активной среды.