Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10,страницы 872

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs

Е. А. Тарасова^a, С. В. Хазанова^a, О. Л. Голиков^a, А. С. Пузанов^a, С. В. Оболенский^a, В. Е. Земляков^b

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"

Аннотация: Работа посвящена результатам моделирования электрофизических параметров pHEMT структур на основе соединения AlGaAs/InGaAs/GaAs с помощью самосогласованного решения уравнения Шредингера и Пуассона. На основании численных расчетов предложен метод анализа нелинейных искажений передаточных вольт-амперных характеристик исследуемых транзисторов. Проведена оценка влияния спейсерных слоев и степени легирования $\delta$-слоя на нелинейность вольт-амперных характеристик.

Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51436.35