Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом

Впервые показано, что многослойные периодические структуры BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом, являются перестраиваемыми фотонными кристаллами c зависимостью фотонной запрещенной зоны от температуры образца. Сдвиг минимума в спектре отражения в области фотонной запрещенной зоны наблюдается от 616 до 610 нм в диапазоне температур образца от +184 до +24$^\circ$С соответственно и воспроизводится для нескольких образцов, синтезированных при температуре 450$^\circ$С.