Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором

Проведено сравнение характеристик двух вариантов конструктивно-технологического исполнения кремниевого МОП-КНИ транзистора с контактом к подложке, совмещенным с истоком, с одним и двумя слоями поликремниевого затвора. По результатам численного моделирования показано, что транзисторы с двухслойным поликремниевым затвором имеют повышенную надежность, быстродействие и стойкость к ионизирующему излучению. Предложена самосовмещенная технология изготовления транзистора с зависимым контактом к карману и с двухслойным поликремниевым затвором, позволяющая реализовать транзисторы с большим отношением ширины к длине затвора (до 100 и более). Описанные конструктивно-технологические особенности изготовления транзистора дают возможность дополнительного управления каналом транзистора, улучшают его характеристики и расширяют область применения.