RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 922–926 (Mi phts4964)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

В. В. Уточкинa, А. А. Дубиновa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, В. И. Гавриленкоa, С. В. Морозовac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследованы волноводные гетероструктуры c массивом из 10 квантовых ям HgCdTe/CdHgTe, выращенные в рамках одной технологической серии и рассчитанные на генерацию стимулированного излучения в диапазоне длин волн 20–30 мкм. В “коротковолновой” структуре получено стимулированное излучение на длине волны $\sim$ 23.9 мкм при температуре 10 K, в то время как в “длинноволновой” стимулированное излучение не наблюдалось. Проведены расчеты оптического поглощения в пассивных слоях для обеих структур, продемонстрировано, что в “длинноволновой” структуре его уровень выше, и предлагаются подходы по минимизации его влияния на генерацию стимулированного излучения.

Ключевые слова: средний ИК диапазон, HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51445.49


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:12, 899–902

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024