Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты

Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной термообработки, применяемой в микроэлектронике для создания внутреннего геттера, и заключительного отжига при 1000$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере. В не имплантированном образце доминирует линия дислокационной люминесценции D1, а ее интенсивность больше чем на порядок по сравнению с другой линией дислокационной люминесценции D2. С ростом температуры интенсивность D1 линии увеличивается, а затем уменьшается. В имплантированном образце интенсивности D1 и D2 линий увеличиваются. Для обеих линий наблюдается только температурное гашение их интенсивностей. Определены энергии гашения и возгорания интенсивностей линий дислокационной фотолюминесценции. Обсуждаются возможные причины наблюдавшихся эффектов.