Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III

Представлены результаты исследований характеристик эпитаксиальных слоев GaSb, легированных кремнием, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при соотношении молярных потоков TMSb/TEGa от 1 до 50. Исследованы рентгенодифракционные кривые качания, спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света, удельное сопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в слоях GaSb : Si в зависимости от соотношения TMSb/TEGa при постоянном молярном потоке SiH$_{4}$.