RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 937–946 (Mi phts4967)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. И. Воронинc, А. В. Поздинa, И. О. Селянинd, И. А. Анохинаe, В. Ф. Марковab

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
d Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
e Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН

Аннотация: Изучена эволюция морфологии, состава, структурных характеристик (постоянной решетки, микродеформаций, текстурированности), оптических и фотоэлектрических свойств пленок PbS, полученных химическим осаждением в присутствии иодида аммония и хлорида хрома (III) при концентрации до 0.02 моль/л. По данным элементного анализа энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, содержание хрома в пленках PbS имеет немонотонную зависимость от концентрации CrCl$_{3}$, и наибольшее количество составляет 1.08 ат.%. Распределение частиц по размерам является мономодальным, а средний размер частиц, формирующих пленки, варьируется от $\sim$ 100 до $\sim$ 225 нм при содержании 2–6% наночастиц. Введение в реактор NH$_{4}$I и СrCl$_{3}$ сохраняет кубическую B1 структуру сульфида свинца и приводит к увеличению ширины запрещенной зоны $E_{g}$ на 0.16–0.20 эВ, уменьшению темнового сопротивления $R_{d}$ и росту вольтовой чувствительности $U_{s}$. Зависимости $E_{g}$ и $U_{s}$ от концентрации соли хрома в реакционной ванне имеют экстремальный характер с максимумом при 0.016 моль/л, что связано с немонотонным вхождением хрома в решетку PbS. Результаты исследований вольт-амперных характеристик тонкопленочных слоев PbS(I) и PbS(I, Cr) хорошо согласуются с результатами структурных, оптических и фоточувствительных свойств.

Ключевые слова: сульфид свинца, тонкие пленки, хром (III), кристаллическая структура, оптические свойства, фоточувствительность, вольт-амперная характеристика.

Поступила в редакцию: 14.05.2021
Исправленный вариант: 25.05.2021
Принята в печать: 25.05.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51448.9680


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:11, 855–864

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024