Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров

Исследовались термофотоэлектрические преобразователи на основе GaSb под излучением селективного Y$_{2}$O$_{3}$-эмиттера мантийного типа, покрытого оксидами редкоземельных элементов Er$_{2}$O$_{3}$/Yb$_{2}$O$_{3}$. Согласование спектральной чувствительности преобразователей с пиковой длиной волны излучения эмиттера $\lambda$ = 1540 нм обеспечивает эффективность термофотоэлектрического преобразования $>$ 26% (0.4 Вт).