А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9,страницы 733

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN

А. А. Иванов^ab, В. В. Чалдышев^a, Е. Е. Заварин^a, А. В. Сахаров^a, В. В. Лундин^a, А. Ф. Цацульников^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы оптические свойства структуры с периодической системой из 100 квантовых ям InGaN, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами GaN при комнатной температуре. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию дифракции на частоте экситонов в квантовых ямах. Численное моделирование с использованием матриц переноса дало адекватное количественное соответствие экспериментальным результатам. Модель включала резонансный отклик A, B и C экситонов в квантовых ямах и учет оптического поглощения в барьерах и буферном слое. Определены параметры излучательного и безызлучательного затухания экситонов в квантовых ямах InGaN.

Ключевые слова: резонансная брэгговская структура, квантовые ямы, экситоны, экситонный резонанс, брэгговский резонанс, нитрид галлия.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51286.13