Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии

Получена атомарно-чистая и структурно-упорядоченная поверхность слоя CdTe подложки (013) GaAs/ZnTe/CdTe после хранения на воздухе с помощью обработки в изопропиловом спирте, насыщенном парами соляной кислоты, и дальнейшего термического отжига в сверхвысоком вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности CdTe приводит к удалению собственных оксидов и обогащению поверхности слоем элементного теллура. Во время прогрева в вакууме наблюдается две стадии изменения состояния поверхности ($\sim$ 125$^\circ$С и $\le$ 250$^\circ$С). При $T>$ 250$^\circ$С происходят десорбция элементного теллура и формирование Te-стабилизированной структуры (1$\times$1) CdTe (013).