Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au

Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO$_{2}$(Y)/$n$-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO$_{2}$(Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах.