RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 773–778 (Mi phts4981)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме

Ю. М. Кузнецовab, М. В. Дорохинb, А. В. Неждановa, Д. А. Здоровейщевab, В. П. Лесниковb, А. И. Машинa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Рассмотрен новый способ формирования фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ на кремниевых и сапфировых подложках методом импульсного лазерного осаждения в вакууме. Была подготовлена серия структур с вариацией концентрации железа в распыляемой мишени. Выполнен анализ фазового состава пленок из идентификации пиков в спектрах комбинационного рассеяния света. Проведено исследование магнитных свойств образцов путем регистрации магнитополевой зависимости сопротивления Холла. Показано формирование дополнительных магнитных фаз Fe$_{3}$Si и FeSi при условиях роста, обеспечивающих повышенное вхождение атомов Fe в формируемый слой. Проведен анализ фазового состава пленок, сформированных на кремниевых и сапфировых подложках при одинаковых технологических параметрах роста.

Ключевые слова: полупроводник, $\beta$-FeSi$_2$, импульсное лазерное осаждение, комбинационное рассеяние света, эффект Холла.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51293.23


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:9, 749–754

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024