RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 779–784 (Mi phts4982)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs

Д. К. Логинов, П. А. Белов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев

Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Выполнено моделирование интерференции поляритонных волн в широкой квантовой яме в присутствии внешнего однородного электрического поля. Показано, что в зависимости от значений приложенного поля эта интерференция изменяется с конструктивной на деструктивную. Этот процесс описывается линейным по волновому вектору членом в экситонном гамильтониане.

Ключевые слова: экситон, электрическое поле, квантовая яма, светоэкситонное взаимодействие.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51294.24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024