RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 785–788 (Mi phts4983)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN

И. П. Сошниковabc, К. П. Котлярad, Р. Р. Резникe, В. О. Гридчинad, В. В. Лендяшоваab, А. В. Вершининa, В. В. Лысакe, Д. А. Кириленкоb, Н. А. Бертb, Г. Э. Цырлинabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Представлено экспериментальное исследование, направленное на развитие метода спонтанного синтеза нитевидных нанокристаллов InGaN/GaN радиальной гетероструктуры при молекулярно-пучковой эпитаксии. Методами электронной микроскопии показано, что при содержании In $x$ = 0.4 и 0.04 в ядре и оболочке и размерах ядра может образоваться клиновидная трещина. На основе модели внутренних структурных напряжений предложена формула, позволяющая оценить критические размеры и состав для образования трещин в нитевидных нанокристаллах. Сопоставление оценок и экспериментальных данных морфологии дает хорошее согласие между собой.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, осевые гетероструктуры, напряженные гетероструктуры, нитрид индия, нитрид галлия.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51295.25


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:10, 795–798

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024