RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 789–797 (Mi phts4984)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Квантовый транспорт в полупроводниковом нанослое с учетом поверхностного рассеяния носителей заряда

И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, Д. Н. Романов

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова

Аннотация: Решена задача об электропроводности тонкого проводящего нанослоя с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поверхность постоянной энергии имеет вид эллипсоида вращения, главная ось которого параллельна плоскости слоя. Получены аналитические выражения для компонент тензора проводимости, как функции безразмерных толщины, химического потенциала, параметра эллиптичности и параметров шероховатости поверхностей. Выполнен анализ проводимости в предельных случаях вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными для слоя кремния.

Ключевые слова: тонкий слой, уравнение Лиувилля, модель Соффера, электропроводность, изоэнергетическая поверхность.

Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51296.26


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:9, 755–763

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024