Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs

Выполнены исследования спектров низкотемпературной примесной фотопроводимости, а также примесного поглощения в наноструктуре с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными акцепторами, в средней и дальней инфракрасных областях спектра. Полученные экспериментально спектры поглощения и фотопроводимости хорошо коррелируют друг с другом. В соответствии с расчетом энергетического спектра дырочных и акцепторных состояний в квантовых ямах идентифицированы вклады в поглощение и фототок от переходов дырок из основного акцепторного состояния в делокализованные состояния валентных подзон и на возбужденные состояния примеси, а также от процессов фотоионизации акцепторов в состояния над квантовой ямой.