RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 644–648 (Mi phts4994)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)

П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, Т. В. Львова, В. Л. Берковиц, М. В. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние химической пассивации в растворах сульфида аммония (NH$_{4}$)$_{2}$S на оптические и электронные свойства поверхности $n$-InP(001). Показано, что обработка в 4%-м водном растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S приводит к уменьшению приповерхностного поля и локализованных в этой области зарядов в 2 раза. Обработка в 4%-м спиртовом растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S приводит к уменьшению этих параметров в 3 раза, и, кроме того, в 3 раза уменьшается барьерная фотоэдс.

Ключевые слова: фосфид индия, спектроскопия анизотропного отражения, Кельвин-зонд микроскопия, локальная катодолюминесценция.

Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51129.05


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:8, 667–671

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024