И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8,страницы 669

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$

И. В. Боднарь^a, А. А. Фещенко^a, В. В. Хорошко^a, В. Н. Павловский^b, И. Е. Свитенков^b, Г. П. Яблонский^a

^a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
^b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск

Аннотация: Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn$_{8}$S$_{12.5}$. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав полученных монокристаллов, методом рентгеновской дифракции – кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 K определена ширина запрещенной зоны, которая с понижением температуры возрастает.

Ключевые слова: метод Бриджмена, монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 11.01.2021
Исправленный вариант: 02.04.2021
Принята в печать: 16.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51134.9599