Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs

Приведены результаты исследований оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоев InAs, выращенных на подложке $n$-InAs, и спектральных и электрических свойств светоизлучающих гетероструктур с активным слоем из InAs и различным дизайном и химическим составом барьерных слоев. Исследования свойств гетероструктур проведены в диапазоне 4.2–300 K. Показано влияние степени легирования подложки и свойств интерфейсов в гетероструктурах на вид их спектров излучения и мощностные характеристики. Исследованы механизмы протекания тока через гетероструктуры, и показано преобладание диффузионной составляющей тока при температурах выше 200 K и присутствие туннельной составляющей при более низких температурах.