Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

Проведен анализ электропараметров нового поколения СВЧ LDMOS-транзисторов, разработанных АО “НИИЭТ”. Выявлено существенное подавление эффекта квазинасыщения переходной и выходной вольт-амперной характеристики по сравнению с приборами предыдущего поколения. Сравнение с прибором зарубежного производства показывает, что достигнутые результаты близки к мировому уровню.