Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры

Представлены результаты исследования оптических свойств образцов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры, выращенных без использования традиционных полупроводниковых или сапфировых подложек. Показано, что дефекты упаковки, содержащиеся в блоках GaN-текстуры исследованного материала, представляют собой самоорганизованные гетерополитипные наноструктуры, и эффективная люминесценция в ультрафиолетовой области спектра, связанная с дефектами упаковки в базисной плоскости типа I$_{1}$, определяется оптическими переходами экситонов, локализованных вблизи таких естественных дефектов монокристаллического объема блоков GaN-текстуры.