Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения

Разработана новая количественная модель латентного накопления поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения и длительного отжига. Модель базируется на образовании под воздействием ионизирующего облучения ионов водорода H$^{+}$ не только в тонком подзатворном диэлектрике, но и в прилегающем толстом полевом диэлектрике, и их последующем дисперсионном переносе к межфазной границе с кремниевой подложкой. Плотность латентных поверхностных состояний определяется уравнением баланса пассивации и депассивации $P_{b}$-центров на межфазной границе SiO$_{2}$-Si ионами водорода. Модель позволяет объяснить сопутствующее падение объемного заряда, а также спад плотности поверхностных состояний после завершения роста и удовлетворительно описывает экспериментальные данные.