Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si

Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1.2 мкм и в 15 раз при $\lambda$ = 1.65 мкм.