Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм

Созданы и исследованы неохлаждаемые фотодиоды на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм. Активная область GaSb была получена с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя с целью снижения концентрации природных акцепторов. Емкость фотодиодов при диаметре чувствительной площадки 300 мкм составляла 115–135 пФ без смещения и 62–70 пФ при обратном смещении 1.5 В. Быстродействие фотодиода, измеренное в фотовольтаическом режиме с помощью InGaAsP/InP-лазера с длиной волны излучения 1.55 мкм, достигало $\tau_{0.1-0.9}$ = 42–60 нс. Экспериментально продемонстрировано, что созданные фотодиоды могут использоваться без охлаждения для регистрации импульсного излучения лазеров и светодиодов в ближней ИК-области спектра.