М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5,страницы 391

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках

М. С. Жолудев^ab, В. В. Румянцев^ab, С. В. Морозов^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведены расчеты волновых функций электрона в зоне проводимости бесщелевого полупроводника вблизи кулоновского акцептора. Использовалась модель Латтинжера в приближении сферической симметрии. Получена зависимость энергии резонансных состояний акцептора от отношения масс электронов и дырок.

Ключевые слова: бесщелевой полупроводник, примесь, резонансные состояния, матрица рассеяния.

Поступила в редакцию: 22.12.2020
Исправленный вариант: 30.12.2020
Принята в печать: 30.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.05.50825.9582