Особенности спектров люминесценции ZnSе $\cdot$ О с привлечением теории антипересекающихся зон

Представлены исследования на основе теории антипересекающихся зон влияния на спектры излучения структурных особенностей самоактивированного селенида цинка и кристаллов с активаторами. Разрозненность многочисленных литературных данных затрудняет понимание этого вопроса. Теория антипересекающихся зон, которая утвердилась в настоящее время, требует учитывать влияние изоэлектронной примеси кислорода, неизменно присутствующего в решетке ZnSе, на зонную структуру. Совершенствование методов расчета равновесия собственных точечных дефектов предполагает привлечение этих данных при анализе оптических свойств А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{IV}}$, в частности селенида цинка. Цель работы – исследование особенностей и природы полос люминесценции, широко используемых для получения информации о качестве кристаллов. Для этого были исследованы спектры фото-, катодо-, импульсной люминесценции и спектры возбуждения, а также спектры вынужденного свечения ZnSе в едином контексте с привлечением этих особенностей. Выявлены устойчивые состояния кристаллов с дефектами упаковки при введении активаторов или фоновой примеси меди. Результаты представляют интерес для диагностики кристаллов, пригодных для создания лазеров.