RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 291–298 (Mi phts5046)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

О ширине запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$

С. С. Рагимовab, В. Э. Багиевa, А. И. Алиеваb, А. А. Саддиноваb

a Бакинский государственный университет, Институт физических проблем, Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Проведены спектральные эллипсометрические исследования AgSbSe$_{2}$, определены спектры оптических постоянных и диэлектрической проницаемости в области энергий фотонов 0.07-6.5 эВ. Для описания полученных спектров применены модель Тауца–Лорентца, модифицированная модель Фороухи–Блумера и модель Коди–Лорентца. Выяснено, что модель Коди–Лорентца лучше описывает субкраевую область спектра оптических постоянных. Показано, что на оптические свойства, форму края поглощения и структуру запрещенной зоны существенное влияние оказывает пространственная структурная разупорядоченность кристаллов AgSbSe$_{2}$. На основе анализа полученных спектров с применением различных методов определена величина ширины запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$, $E_{g}$=0.32 эВ.

Ключевые слова: эллипсометрические измерения, оптические постоянные, диэлектрическая проницаемость, запрещенная зона, структурная разупорядоченность.

Поступила в редакцию: 11.11.2020
Исправленный вариант: 07.12.2020
Принята в печать: 07.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50727.9551


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:12, 928–935

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024