RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 304–307 (Mi phts5048)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка

В. В. Ушаков, Д. Ф. Аминев, В. С. Кривобок

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: В области 0.6–1.8 мкм исследован спектральный состав люминесценции образцов ZnSe, легированных примесью железа методом высокотемпературной термодиффузии в атмосфере Zn или Ar. В спектрах люминесценции образцов наблюдались линии при 980 и 1400 нм, связанные с внутрицентровыми излучательными переходами в центрах Fe$^{2+}$. По данным спектрального сканирования, интенсивности обеих линий коррелировали по всей поверхности образца, что свидетельствует о связи обоих излучательных переходов с одним и тем же центром. Идентификация излучательных переходов проведена по диаграмме Танабе–Сугано с параметрами, адаптированными к центрам ZnSe : Fe$^{2+}$ ($d^{6}$). Результаты свидетельствуют о том, что линии при 980 и 1400 нм обусловлены электронными переходами $^{3}T_{1}(^{3}H)$$^{5}E(^{5}D)$ и $^{5}T_{2}(^{5}D)$ соответственно.

Ключевые слова: люминесценция, внутрицентровые переходы, ZnSe : Fe.

Поступила в редакцию: 19.11.2020
Исправленный вариант: 10.12.2020
Принята в печать: 10.12.2020

DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50729.9556


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:5, 466–469

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024